RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
58
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
10.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2466
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link