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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
58
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
40
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
11.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
2100
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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