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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
65
Por volta de -183% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
16.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
3936
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
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