RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
65
Por volta de -132% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
14.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
3627
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link