RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
65
Por volta de -150% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
14.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
3576
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link