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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
65
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
3482
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
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