RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
11.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
65
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
11.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
2608
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link