RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
11.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
60
Por volta de -82% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
11.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2855
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link