RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
60
Por volta de -54% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2808
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link