RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
60
Por volta de -18% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
51
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2778
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link