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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
60
Por volta de -82% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
11.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2702
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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