RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
60
Por volta de -100% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
15.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3824
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link