RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
60
Por volta de -100% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
12.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3164
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link