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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
60
Por volta de -150% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
8.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2821
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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