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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
60
Por volta de -100% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
11.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2438
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965426-405.A00LF 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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