RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
60
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
9.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2569
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Inmos + 256MB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link