RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
60
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
9.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2505
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link