RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
60
Por volta de -58% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
12.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2836
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link