RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
60
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
8.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2332
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link