RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
64
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
64
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
8.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2197
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link