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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
60
Por volta de -76% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
11.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2812
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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