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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
60
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
54
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
8.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2226
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Comparações de RAM
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Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
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