Comparação RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Pontuação geral

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 20.4

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,168.2 18.1

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

18 60

Por volta de -233% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 5300

Por volta de 3.62 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

941 3529

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns