RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
60
Por volta de -216% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
19
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
15.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3435
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link