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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 12.5
    Valor médio nos testes
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 60
    Por volta de -107% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.7 left arrow 2,168.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 5300
    Por volta de 3.62 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    60 left arrow 29
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,595.2 left arrow 12.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,168.2 left arrow 9.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    941 left arrow 2609

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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