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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
60
Por volta de -107% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
9.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2609
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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