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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
60
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
9.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2419
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
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