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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
65
Por volta de -110% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
11.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3122
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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