RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
65
Por volta de -110% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
11.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3132
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link