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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
65
Por volta de -150% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3112
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-062.A00G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
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UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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