RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
65
Por volta de -86% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
10.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2460
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link