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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
65
Por volta de -117% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
15.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3672
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB Comparações de RAM
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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