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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
21.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
65
Por volta de -124% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
17.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
4047
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
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