RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
65
Por volta de -195% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
12.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3135
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link