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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
65
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2994
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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