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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
65
Por volta de -171% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3690
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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