RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
65
Por volta de -195% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
14.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3392
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link