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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
65
Por volta de -183% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3227
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
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