RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
65
Por volta de -150% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
16.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3899
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link