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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
65
Por volta de -132% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
16.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3804
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
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