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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
65
Por volta de -171% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
2,784.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
8.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2462
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
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Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
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