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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
65
Por volta de -91% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
14.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3527
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
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