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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
65
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
2,784.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
37
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2512
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
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