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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
65
Por volta de -195% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
2,784.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
6.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2120
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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