RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
65
Por volta de -160% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
13.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2889
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
AMD R934G2401U1S 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link