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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Comparar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
56
Por volta de -155% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,501.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
4200
Por volta de 4.05 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,161.0
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,501.2
13.5
Largura de banda de memória, mbps
4200
17000
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
381
3310
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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