RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Comparar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Pontuação geral
Kingston K821PJ-MID 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston K821PJ-MID 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
56
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,501.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
4200
Por volta de 4.57 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
41
Velocidade de leitura, GB/s
3,161.0
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,501.2
10.3
Largura de banda de memória, mbps
4200
19200
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
381
2338
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C10D3L/8G 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link