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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,021.5
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
47
Por volta de -57% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,575.4
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,021.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
563
3466
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB Comparações de RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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