RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Comparar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,906.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,672.4
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,906.4
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
698
2652
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link