RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Comparar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
52
Por volta de -148% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,906.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,672.4
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,906.4
15.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
698
3255
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link