RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Comparar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,906.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,672.4
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,906.4
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
698
3080
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link